Перевод: с русского на белорусский

с белорусского на русский

слой кремния

См. также в других словарях:

  • слой кремния, полученный методом химического осаждения из паровой фазы — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • КРЕМНИЯ ОКСИД — SiO, устойчив в газообразном состоянии (SiOr) выше 1000°С; для газа: C0p 29,901 Дж/(моль К), DH0 обр 100,000 кДж/моль, S0296211,489 Дж/(моль . К). При быстром охлаждении SiO конденсируется в аморфный продукт SiOx 1, (плота. 2,15 г/см 3)… …   Химическая энциклопедия

  • Нитрид кремния — Нитрид кремния …   Википедия

  • технология "подложки из кремния на изоляторе" — технология "подложки из кремния на изоляторе" Подложки SOI имеют изолирующий слой из оксида кремния, наложенного до того, как создаются транзисторы, что противодействует утечке тока. Используется для производства микросхем.… …   Справочник технического переводчика

  • Кремний на изоляторе — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний д …   Википедия

  • SOI — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Silicon on insulator — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • КНИ — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Кремний на сапфире — Схема КНИ подложки Кремний на изоляторе (КНИ) (англ. Silicon on insulator, SOI) технология изготовления полупроводниковых приборов, основанная на использовании трёхслойной подложки со структурой кремний диэлектрик кремний вместо обычно… …   Википедия

  • Спинтроника — (Спиновая электроника)  раздел квантовой электроники, занимающийся изучением спинового токопереноса (спин поляризованного транспорта) в твердотельных веществах, в частности в гетероструктурах ферромагнетик парамагнетик или ферромагнетик… …   Википедия

  • chemical vapor deposition silicon — cheminiu gariniu būdu nusodintas silicio sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. chemical vapor deposition silicon vok. chemische Gasphasenabscheidungssiliziumschicht, f rus. слой кремния, полученный методом химического… …   Radioelektronikos terminų žodynas

Поделиться ссылкой на выделенное

Прямая ссылка:
Нажмите правой клавишей мыши и выберите «Копировать ссылку»